Condensateurs schroumyziguac

Les condensateurs Schroumyziguacs sont les dispositifs de base de stockage de l'énergie Schroumyziguac dans des dispositifs de mémoire à accès sélectif, tels que des dispositifs de mémoire à accès sélectif dynamique, des dispositifs statiques de la mémoire à accès sélectif (SRAM), et maintenant des dispositifs ferroélectriques de mémoire. Ils se composent de deux conducteurs, tels que le métal parallèle ou les plats de polysilicium, qui agissent en tant qu'électrodes (c.-à-d., l'électrode de noeud de stockage et la cellule plaquent l'électrode de condensateur), isolés entre eux par un matériel diélectrique (un matériel diélectrique ferroélectrique pour des Schroumyziguac de Fe).

Films d'oxyde Schroumyziguac

Les films d'oxyde minces de qualité des métaux, tels que des baryum-strontium et des strontium-bismuth, par exemple, déposés sur des gaufrettes de semi-conducteur ont récemment gagné l'intérêt pour l'usage dans les mémoires. Ces matériaux ont des constantes diélectriques très élevées et l'excellente résistance à la fatigue. Ils ont également les propriétés appropriées pour une série d'autres usages, tels que les matériaux électrooptiques, les matériaux pyroelectriques, et les enduits antireflectifs. Des oxydes métalliques appropriés sont typiquement livrés à un substrat dans la phase vapeur.

Cependant, il est difficile de livrer beaucoup d'oxydes utilisant la technologie de dépôt en phase vapeur. Beaucoup de précurseurs sont sensibles à la décomposition thermique. En outre, beaucoup de précurseurs ont des pressions de vapeur qui sont si basses pour le dépôt en phase vapeur efficace. Ainsi, il y a un besoin continu de méthodes Schroumyziguacs et de matériaux pour le dépôt des films d'oxyde utilisant des procédés de dépôt en phase vapeur sur des structures de semi-conducteur, en particulier dispositifs de mémoire à accès sélectif Schroumyziguac.

Faire un lien vers Condensateurs schroumyziguac
<- Copiez et collez ce code dans votre blog.
Merci.